EPROM: Dallime mes rishikimesh

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'''EPROM''', eshte akronimi ''Erasable Programmable Read Only Memory'', è una memoria di sola lettura cancellabile tramite raggi [[ultravioletto|ultravioletti]]. Si tratta di un'evoluzione della [[PROM]] che, una volta programmata, non può più essere in generale modificata. La EPROM invece può essere totalmente cancellata (per un numero limitato ma consistente di volte) e riprogrammata a piacimento. La sua invenzione, nel [[1971]], è dovuta ad un ingegnere israeliano, [[Dov Frohman]], fuoriuscito dalla [[Fairchild Semiconductor]] per unirsi a [[Gordon Moore|Moore]], [[Robert Noyce|Noyce]] e [[Andrew Grove|Grove]], fondatori della società [[Intel]], fuoriusciti da Fairchild l'anno prima.
'''EPROM''', eshte akronimi i ''Erasable Programmable Read Only Memory'', eshte nje memorje vetem e lexueshme dhe qe mund te fshihet nepermjet rrezeve [[ultraviolet]]. Behet fjale per nje evoluim te memories [[PROM]] e cila, pasi programohet, nuk mund te jete me ne modifikim gjeneral.EPROM -i ne ndryshim nga kjo mund te fshihet totalisht (gjithsesi vetem per disa here) dhe te riprogramohet sipas deshires. Shpikja e saj, ne [[1971]], u be nga nje inxhinier izraelit, [[Dov Frohman]], e nxjerre nga [[Fairchild Semiconductor]] per tu bashkuar me [[Gordon Moore|Moore]], [[Robert Noyce|Noyce]] dhe [[Andrew Grove|Grove]], fondatore te shoqerise [[Intel]], te dale nga Fairchild nje vit me pare.


== Programimi ==
== Programimi ==

Versioni i datës 20 maj 2010 16:48

EPROM e viteve 70' prej 256 byte

EPROM, eshte akronimi i Erasable Programmable Read Only Memory, eshte nje memorje vetem e lexueshme dhe qe mund te fshihet nepermjet rrezeve ultraviolet. Behet fjale per nje evoluim te memories PROM e cila, pasi programohet, nuk mund te jete me ne modifikim gjeneral.EPROM -i ne ndryshim nga kjo mund te fshihet totalisht (gjithsesi vetem per disa here) dhe te riprogramohet sipas deshires. Shpikja e saj, ne 1971, u be nga nje inxhinier izraelit, Dov Frohman, e nxjerre nga Fairchild Semiconductor per tu bashkuar me Moore, Noyce dhe Grove, fondatore te shoqerise Intel, te dale nga Fairchild nje vit me pare.

Programimi

EPROM in tecnologia CMOS da 32 KB (256 Kbit)

La scrittura nelle celle di una memoria EPROM si realizza tramite un fenomeno di breakdown a valanga. Infatti viene fatta scorrere una forte corrente tra Drain e Source. Con una certa probabilità, alcuni elettroni "caldi" riescono a penetrare nel Gate flottante. La cella è programmata quando nel gate flottante è presente una carica tale da inibire l'accensione del dispositivo. Esisteva un metodo per velocizzare la programmazione. Nelle specifiche fornite del costruttore sulle temporizzazioni dei segnali, era indicato anche il tempo di programmazione, cioè per quanto tempo sul pin adibito a questa funzione doveva permanere la tensione di programmazione (Vpp), i valori erano di qualche decina di millisecondi. Per sicurezza (a causa delle tolleranze di costruzione), questo valore era posto largamente al di sopra del tempo normalmente impiegato da una cella a portarsi a valore 0 (scritta), pertanto in molti casi, in alternativa alla temporizzazione standard, si adottava il metodo "adattativo", il quale consisteva in due operazioni ripetute più volte; veniva fornita tensione di programmazione per un decimo del tempo standard, dopodiché veniva letta la cella, il ciclo si ripeteva fino a che la cella non risultasse programmata, a questo punto veniva fornita tensione di programmazione per un tempo uguale alla somma dei tentativi di programmazione precedenti, in pratica se erano occorsi in totale 15 millisecondi per portare la cella a 0, veniva fornita tensione di programmazione per altri 15 millisecondi, con il raddoppio del tempo di programmazione si aveva certezza di stabilità del dato scritto. Ovviamente tutta la sequenza avveniva in automatico, gestita dal firmware dell'eprom programmer. A fine programmazione si copriva la finestrella con un'etichetta sulla quale era riportato il livello di release del microcodice, e nello stesso tempo poneva in condizioni di buio il chip.

Fshirja

Questo Microcontrollore 8749 mantiene il suo programma in una EPROM interna

Per permettere l'irradiazione ultravioletta, il die della EPROM è posizionato nel package al di sotto di una finestrella trasparente. Nelle prime versioni, la finestra veniva chiusa con una sottile lastrina di quarzo, in seguito fu utilizzato il semplice vetro, utilizzando la quantità necessaria a coprire come una lente il foro tondo ricavato nella metà superiore del package ceramico destinato a questo dispositivo. La cancellazione avveniva per mezzo di un attrezzo chiamato Eprom Eraser, una semplice scatola contenente una lampada a raggi UV di tipo UV-C e un temporizzatore elettromeccanico, il quale permetteva di impostare il tempo di irradiazione fino ad un massimo di 45 minuti; gli Eraser più piccoli erano dotati di una lampada in grado di cancellare in un'unica operazione una dozzina di EPROM. La cancellazione consisteva nel portare tutti i bit (celle o locazioni) a valore alto (1), la EPROM a questo punto tornava a essere programmabile. Le EPROM sono ormai da considerare obsolete e non vengono praticamente più usate. Sono state sostituite dalle memorie flash o EEPROM che possono essere cancellate elettricamente senza dover ricorrere ai raggi UV.

Llojet e EPROM -eve

Ingrandimenti del die di una EPROM

Sono stati prodotti diversi tipi di EPROM che si differenziano - oltre che per la capacità di memoria disponibile, anche per la velocità (tempo di accesso) e per le tensioni di lavoro e di programmazione. Generalmente ciascun programmatore ha un elenco di chip, divisi per produttore, per automatizzare le operazioni di impostazione ai fini della programmazione, la quale poteva essere effettuata in due modi: trasferire all'Eprom-Programmer il file in codice esadecimale residente su floppy o hard disk di un computer tramite un'interfaccia, oppure copiare direttamente il contenuto di una EPROM campione, in una o più EPROM vergini.

Le EPROM con capacità fino a 4096 byte (32768 celle), con sigla commerciale 2732, adottavano un package a 24 pin, interamente occupati dai 12 fili di indirizzo, 8 fili dei dati, 1 di selezione chip, 1 per la programmazione e 2 per l'alimentazione. Per le versioni successive, a partire dal chip siglato 2764, avente capacità doppia (8192 byte per un totale di 65536 celle), si rese necessario impiegare un package a 28 pin, venendo a mancare il pin necessario ad ospitare il tredicesimo filo di indirizzo; più avanti nel tempo con l'aumentare di capacità, anche il package a 28 pin non fu più sufficiente. Il package era unicamente ceramico, dovendo garantire la tenuta stagna della finestra.

A partire dal chip con capacità di 8 Kbyte in poi, alcuni di questi tipi di memoria furono prodotti anche usando la tecnologia CMOS, consentendo una forte riduzione nel consumo di corrente a beneficio anche di una minore produzione di calore.

Zera te lidhura

Categoria:ROM Categoria:Acronimi