EEPROM: Dallime mes rishikimesh
| [redaktim i pashqyrtuar] | [redaktim i pashqyrtuar] |
v roboti shtoj: gl:EEPROM |
Xqbot (diskuto | kontribute) v roboti ndryshoj: de:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; cosmetic changes |
||
| Rreshti 19: | Rreshti 19: | ||
Teknologjia EEPROM eshte zhvilluar duke u bazuar tek teknologjia paraardhese [[EPROM]] per te shmangur problemin e fshirjes se armeve. Tek EPROM -et, fshirja kryhet si pasoje e ekspozimit te [[rezatim ultraviolet|rezatimit UV]],si pasoje veprimeve llogjike pa dashje (heqja nga skeda ku ndodhet). |
Teknologjia EEPROM eshte zhvilluar duke u bazuar tek teknologjia paraardhese [[EPROM]] per te shmangur problemin e fshirjes se armeve. Tek EPROM -et, fshirja kryhet si pasoje e ekspozimit te [[rezatim ultraviolet|rezatimit UV]],si pasoje veprimeve llogjike pa dashje (heqja nga skeda ku ndodhet). |
||
[[ |
[[Skeda:EPROM M27C512.JPG|250px|thumb|EPROM ST M27C512]] |
||
== Transistori i memorjes == |
== Transistori i memorjes == |
||
| Rreshti 52: | Rreshti 52: | ||
EEPROM -i eshte kompnenti elektronik me i perhapur qe shfrytezon parimet e [[mekanika kuantike|mekanikes kuantike]]. |
EEPROM -i eshte kompnenti elektronik me i perhapur qe shfrytezon parimet e [[mekanika kuantike|mekanikes kuantike]]. |
||
==Bibliografi== |
== Bibliografi == |
||
*Angelo Geraci, ''Principe elektronike te sistemeve dixhitale", editor McGraw-Hill |
* Angelo Geraci, ''Principe elektronike te sistemeve dixhitale", editor McGraw-Hill |
||
==Zera te lidhur== |
== Zera te lidhur == |
||
*[[EPROM]] |
* [[EPROM]] |
||
*[[RAM]] |
* [[RAM]] |
||
*[[BIOS]] |
* [[BIOS]] |
||
*[[Memorje flash]] |
* [[Memorje flash]] |
||
*[[Pendrive]] |
* [[Pendrive]] |
||
== Shenime == |
== Shenime == |
||
| Rreshti 77: | Rreshti 77: | ||
[[cs:EEPROM]] |
[[cs:EEPROM]] |
||
[[da:EEPROM]] |
[[da:EEPROM]] |
||
[[de:Electrically Erasable Programmable Read |
[[de:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory]] |
||
[[en:EEPROM]] |
[[en:EEPROM]] |
||
[[es:EEPROM]] |
[[es:EEPROM]] |
||
Versioni i datës 17 korrik 2010 20:25
 |
Ky artikull sipas rregullores mbi shkronjat Ç, ç, Ë, ë, bie në kundërshtim me rregulloren e Wikipedisë në gjuhën shqipe, për këtë arsye nuk mund të merret si i saktë derisa të rregullohet. |
EEPROM (i shkruajtur edhe E2PROM), akronim i Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, eshte nje tip i perdorur tek kompjutarat dhe pajisje te tjera elektronike per te memorizuar sasi te vogla te dhenash qe duhet te mbahen kur hiqet ushqimi (per shembull konfigurimi i pajisjes). Veprimet e shkrimit, fshirjes dhe rishkrimit zhvillohen ne menyre elektrike.
Cdo celule e memorjes e afte per te memorizuar nje bit te vetem eshte e ndertuar nga 2 tranzistore MOS, nje per memorje dhe nje per akses.
| Tipet e Memorjeve të kompiuterit |
| E paqëndrueshme |
| Non-Volatile |
Lindja e teknologjise
Me 1978 George Perlegos i Intel zhvilloi l'Intel 2816 duke u bazuar ne teknologjine EPROM, por duke perdorur nje shtrese te holle oksidi per gate -in. Ne kete menyre cip -i mund te fshije bit -et e tij pa kerkuar perdorimin e burimi UV. Ne vazhdim Perlegos e te tjere lane Intel per te krijuar Seeq Technology, qe shtoi tek pajisja pompa karikimi per te dhene voltazhe te tjera te nevojshme per te prodhuar EEPROM -e.[1]
Teknologjia EEPROM eshte zhvilluar duke u bazuar tek teknologjia paraardhese EPROM per te shmangur problemin e fshirjes se armeve. Tek EPROM -et, fshirja kryhet si pasoje e ekspozimit te rezatimit UV,si pasoje veprimeve llogjike pa dashje (heqja nga skeda ku ndodhet).
Transistori i memorjes
Transistori i memorjes ka dy gate.
I pari eshte nje gate tradicional, i lidhur ne menyre elektrike me pjesen tjeter te grupit. Kjo teknologji eshte mbiquajtur control gate. Gate -i i dyte eshte i mbytur ne oksid dhe si pasoje eshte i izoluar elektrikisht. Ky eshte i ndare nga gate -i i pare, si edhe nga kanali i tranzistorit, nepermjet nje shtrese shume te holle materiali izolant. Per kete arsye quhet floating gate.
Ne ndryshim nga EPROM -et, tek EEPROM -et ka nje zone ne ndryshim nga drain, ku spesori i shtrese se oksidit qe ndan "floating gate" -in nga kanalieshte zvogeluar ne ate pike sa lejon kalimin e elektroneve si pasoje e efekti tunel (Fowler-Nordheim).
Transistori i memorjes programohet komandimit ne tension te "control gate" -it. Ndryshimi i potencialit ku kjo ekspozohet determinon, ne zonen ku spesori i zvogeluar i oksidit izolues e ben te mundshem. Manifestimi i efektit tunel eshte nje terheqje e elektroneve nga"drain" -i tek "gate" -i i mbytur.
Transistori i aksesit
Si ne rastin e memorjeve EPROM, edhe memorjet EEPROM deshmojne nje kritike ne rastin e fshirjes. Procesi i shkarkimit te floating gate mund te determinoje, si efekt te padeshiruar, grumbullimin e nje ngarkese pozitive me ndryshim te tensionit te pajisjes. Problemi eshte zgjidhur me futjen e tranzistoreve te aksesit, qe jane pjese e integruar e shasise se memorjes EEPROM.
Prezenca e ketyre te fundit determinon nje madhesi me te madhe se sa ajo e memorjes EPROM. Per te permiresuar kete problem lindi memorja flash. Memorjet flash ndryshojne nga memorjet EEPROM per shkak se programimi bazohet, ne rastin e fundit, ne fenomenin fizik te induksionit, dhe jo ne ate te efektit tunel.
Nje tranzistor aksesi, i komanduar nga word line, luan gjithashtu rolin e te venit ne komunikim te tranzistorit te memorjes me "bit line" -en kur eshte e nevojshme te lexohet e dhena binar e magazinuar nen formes te ngarkeses elektrike ne brendesi te kanlit te tranzistorit.
Kufizime
Ka dy kufizime tek informacioni i magazinuar: rezistenca dhe rimbajtja.
Gjate rishkrimeve, oksidi i gate-it tek transistoret floating-gate mbledh gradualisht elektrone te bllokuar ne gracke. Fusha elektrike e ketyre elektroneve shumohet me ato te elektroneve ne floating-gate, duke ulur dritaren tensioneve te zerove ne raport me njeshat. Pas nje numri te caktuar ciklesh rishkrimi, diferenca behet shume e vogel per te qene e matshme, celula eshte e bllokuar ne gjendjen e programuar dhe verifikohen probleme rezistence. Prodhuesit zakonisht specifikojne nje numer maksimal rishkrimesh te barabarte me 106 ose me te larte.
Ne gjendjen e programuar, me kohen elektronet ne brendesi te floating gate mund te dalin pertej izolantit, sidomos ne temperatura te larta. Kjo shkakton nje humbje ngarkese, duke cuar celulen ne gjendje te fshire. Zakonisht prodhuesit garantojne nje zgjatje te ruajtjes se te dhenave per 10 ose me shume vite.[2]
Konsiderime perfundimtare
EEPROM -i eshte kompnenti elektronik me i perhapur qe shfrytezon parimet e mekanikes kuantike.
Bibliografi
- Angelo Geraci, Principe elektronike te sistemeve dixhitale", editor McGraw-Hill
Zera te lidhur
Shenime
- ^ Rostky, George (korrik 2, 2002). "Remembering the PROM knights of Intel". EE Times. Marrë më 2007-02-08.
{{cite journal}}: Mungon ose është bosh parametri|language=(Ndihmë!)Mirëmbajtja CS1: Datë e përkthyer automatikisht (lidhja) - ^ System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits