Transistori me efekt të fushës: Dallime mes rishikimesh
[redaktim i pashqyrtuar] | [redaktim i pashqyrtuar] |
Content deleted Content added
Faqe e re: ==TRANSISTORI ME EFEKT TË FUSHËS – FET== ===HYRJE=== Transistori me efektet të fushës ose FET transistori (nga anglishtja Field-Effect Transistor) është lloji i dytë i transi... |
U largua krejt përmbajtja e artikullit. |
||
Rreshti 1: | Rreshti 1: | ||
==TRANSISTORI ME EFEKT TË FUSHËS – FET== |
|||
===HYRJE=== |
|||
Transistori me efektet të fushës ose FET transistori (nga anglishtja Field-Effect |
|||
Transistor) është lloji i dytë i transistorëve të rëndësishëm, me të cilët do të njihemi në këtë shkrim.<ref>[Myzafere Limani, Qamil Kabashi - ELEKTRONIKA]</ref> Ekzistojnë dy lloje të përgjithshme të FET-ëve: MOSFET (nga anglishtja Metal-OxideSemiconductor FET) dhe JFET (Junction FET). MOSFET –i i ka parapri revolucionit të dytë në |
|||
elektronikë në vitet 1970-a dhe 1980-a, kur me zhvillimin e mikroprocesorit është mundësuar |
|||
zhvillimi i kompjuterëve personal të fuqishëm dhe të sofistifikuar. MOSFET –i mund të |
|||
prodhohet me dimensione shumë të vogla, ashtu që mund të realizohen qarqe të integruara me |
|||
dendësi shumë të lartë (VLSI). |
|||
[[File:Tranzistori 1.JPG|thumb|Pamja 3-D e tranzistorit]] |
|||
Kapitulli do të fillojë me analizën e strukturës fizike dhe veprimit të MOSFET –it. Pastaj |
|||
do të nxjerrën karakteristikat rrymë-tension të qarkut dhe pastaj do të trajtohet dc analiza e |
|||
qarqeve me MOSFET. |
|||
===Struktura=== |
|||
Në Fig. 5.1(a) është paraqitur prerja tërthore e thjeshtuar e një MOSFET-i. |
|||
<ref>[http://fiek.uni-pr.edu/Shpallje/Departamenti03/Bachelor/Viti-II/Literatura.aspx]</ref> |
|||
Te ky transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit. |
|||
[[File:Tranzistori 2.JPG|thumb|Pamja 2-D e tranzistorit]] |
|||
Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e |
|||
transistorit. Trashësia e shtresës së oksidit, tox, është zakonisht e rendit 400 angstrem ose më e |
|||
vogël. Në Fig. 5.1(b) është paraqitur prerja më e detalizuar e MOSFET –it të fabrikuar brenda |
|||
konfiguracionit të qarkut të integruar. Edhe pse struktura aktuale e një MOSFET –i mund të jetë |
|||
dukshëm më e komplikuar, kjo paraqitje e thjeshtuar mund të shfrytëzohet për nxjerrjen e |
|||
karakteristikave themelore të transistorit. |
|||
Nëse tensioni i polarizimit të gejtit është zero, terminalet e sursit dhe drejnit janë të ndara |
|||
me regjionin p të substratit siç është paraqitur në Fig. 5.2 (a). Kjo situatë është ekuivalente me dy |
|||
dioda të lidhura në opozitë, Fig. 5.2 (b). Rryma në këtë rast është zero. |
|||
Nëse në gejt zbatohet një tension pozitiv, atëherë vrimat “e lira” nën gejt (regjioni i |
|||
kanalit) do të shtyhen poshtë në supstrat, duke krijuar në fillim një regjion të varfëruar të |
|||
bartësve. Tensioni pozitiv në gejt tërheq elektronet prej regjioneve n+ |
|||
të sursit dhe drejnit dhe në |
|||
shtresën në mes të gjysmëpërçuesit dhe oksidit formohet një shtresë inverse e elektroneve e cila |
|||
„lidhë‟ sursin e tipit n dhe drejnin e tipit n siç është paraqitur në Fig. 5.3(b). |
|||
Vlera minimale e tensionit VGS e cila akumulon një numër të mjaftueshëm të elektroneve |
|||
mobile në regjionin e kanalit duke formuar kështu kanal përçues quhet tension i pragut dhe |
|||
shënohet VTN |
|||
Pas formimit të kësaj shtrese në mes të këtyre terminaleve mund të gjenerohet rryma. Pasi |
|||
që bartësit në shtresën inverse janë elektronet, kjo komponentë quhet MOSFET –i n-kanalesh. |
|||
==Referencat== |
|||
<references/> |