Kujtesë hyrëse ndenjëse e rastësishme

Nga Wikipedia, enciklopedia e lirë
Shko te: navigacion, kërko
Tipet e Memorjeve të kompiuterit
E paqëndrueshme
Non-Volatile
Dy pllakëza kujtese SRAM
Skemë e një dhomëze kujtese 6 tranzistorësh CMOS.

SRAM (ang. Static Random Access Memory, sqt. Statik Random Akses Memori = Kujtesë hyrëse ndenjëse e rastësishme) është një lloj kujtese gjysmëpërcjellëse e përbërë nga një qark rrethor i formuar nga dy porta logjike, që lidhen në dy skaje me linjat e të dhënave nëpërmjet dy tranzistorëve.

Në këtë mënyrë mund të mbajnë informacionet për një kohë të pakufizuar, (përsa kohë ushqehen me energji elektrike) janë shumë të shpejta, dhe konsumojnë më shumë energji se kujtesat DRAM.
Përdoren zakonisht për kujtesat e procesorëve kompjuterikë (CPU cache), ku shpejtësi të larta dhe konsume të zvogëluara janë karakteristika thelbësore.

Familja e kujtesave SRAM mund të ndahet në

  • async SRAM (SRAM josinkron): punon në mënyrë jonjëkohëshe me sinjalin taktorprocesorit, çka sjell gjendjet e pritjes së procesorit për hyrje, përdoret si kashe e nivelit të dytë;
  • sync SRAM (SRAM njëkohor): punon në njëkohësi me taktin e procesorit, pra kanë kohëpritje të zvogëluara (apo të pezulluara);
  • pipeline Burst SRAM (linjagypore plasëse SRAM): është përmirësuar për përçimin e paketave të të dhënave.

Punimi[redakto | redakto tekstin burimor]

Zbatimet dhe përdorimi[redakto | redakto tekstin burimor]

Llojet e SRAM-eve[redakto | redakto tekstin burimor]

Shiko edhe[redakto | redakto tekstin burimor]

Lidhje të jashtme[redakto | redakto tekstin burimor]